Piikarbidin yksiulotteisilla nanomateriaaleilla on ainutlaatuisempia erinomaisia toimintoja ja laajempia käyttömahdollisuuksia niiden oman mikroskooppisen jäljityksen ja kiderakenteen ansiosta, ja niitä pidetään yleisesti tärkeänä komponenttina kolmannen sukupolven laajakaistaisissa puolijohdemateriaaleissa.
Kolmannen sukupolven puolijohdemateriaalit ovat laajakaistaisia puolijohdemateriaaleja, jotka tunnetaan myös korkean lämpötilan puolijohdemateriaaleina, mukaan lukien pääasiassa piikarbidi, galliumnitridi, alumiininitridi, sinkkioksidi, timantti jne. Tämän tyyppisillä materiaaleilla on laajakaistavälin ominaisuudet. (kaistaväli suurempi kuin 2,2 ev), korkea lämmönjohtavuus, korkea läpilyöntisähkökenttä, korkea säteilyvastus, korkea elektronien kyllästymisnopeus jne., Soveltuu korkean lämpötilan, korkeataajuisen, säteilynkestävän ja suuritehoisen laitteen valmistukseen. Erinomaisten ominaisuuksiensa ansiosta kolmannen sukupolven puolijohdemateriaaleilla on erittäin laajat sovellusmahdollisuudet tulevaisuudessa.
